ラミネートブスバーは数層複合構造の接続基板です。低インダクタンスブスバーは伝統的な導体接続方法と比較して、回路の分布インダクタンスを大幅に減少させ、電力素子の過電圧（スイッチング時）を低減させ、電力素子の「超級基板」として、電力素子に大電流の流れる動作状態で最大の効能を発揮させています。

- 更に低い総体のコスト
- 正確な組み付け作業
- 高い信頼性と安定性
- 適当なモジュール構造で、本体への取り付け作業と現場サービスが容易となる
- シンプルなデザインで、本体の内部スペースを縮小化
- 分布容量を増加
- 更に低い電圧で、高電流の流せる能力を実現
- ケーブルより常に放熱して、冷却し易く、温度上昇を小さくする
- より低いインピーダンス
- 非常に低いインダクタンス（特にIGBTに対する応用で、電圧が引き起こしたことによる電気部品の損害する確率を低下させる）